Společnost Samsung sice už vyráběla 2Gbit DRAM paměťové čipy, ale to bylo ještě 80nm technologií a s maximální frekvencí 667 MHz. Nyní přechází u 2Gbit čipů na 60nm technologií a rovněž zvyšuje frekvenci o 20 % na výsledných 800 MHz. Máme zde tedy 2Gbit DDR2-800 čipy.
Efektivita výroby by díky podstatně nižším rozměrům měla být navýšena až o 40 %, což rozhodně není zanedbatelné a jistě se to podepíše na nižších cenách výsledných paměťových modulů. Ve srovnání s 1Gbit čipy je na výrobu modulu stejné kapacity potřeba polovičního počtu čipů a podle společnosti spotřebuje modul s 2Gbit čipy asi o 30 % méně elektrické energie než srovnatelný modul s 1Gbit čipy.
Výhodou nižší spotřeby je také snížení nároků na chlazení a vyšší spolehlivost. K dispozici budou prakticky všechny možné varianty modulů, nabídka začíná vysoce výkonnými 8GB FB-DIMM pamětmi, pokračuje 8GB registrovanými RDIMM moduly, dále bude možno koupit klasický 4GB DIMM nebo 4GB verzi SO-DIMM pro mobilní počítače.
Zatímco 60nm technologií jsou již dnes produkovány 512Mbit a 1Gbit DDR2 čipy, masová výroba nových 2Gbit DDR2 čipů začne až koncem tohoto roku.
Zdroj:
www.cdrinfo.com,
www.samsung.co.kr
